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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM)
- Número da peça MFG
- TPC8A06-H(TE12LQM)
- Quantidade disponível
- 62220 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- - MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- TPC8A06-H(TE12LQM).pdf
TPC8A06-H(TE12LQM) Especificações
| Número da peça de fabricante | TPC8A06-H(TE12LQM) |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TPC8A06-H(TE12LQM) |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| TPC8A06-H(TE12LQM) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
| Recurso FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipação de energia (máx.) | - |
| Temperatura de operação | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC8A06-H(TE12LQM) Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TPC8A06-H(TE12LQM)-FT |
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