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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211(TE12L,Q,M)

Name: TPC8211(TE12L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8211(TE12L,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (13 reviews)

Número da peça MFG: TPC8211(TE12L,Q,M)

Quantidade disponível: 82910 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPC8211(TE12L,Q,M).pdf

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TPC8211(TE12L,Q,M) Especificações

Número da peça de fabricante	TPC8211(TE12L,Q,M)
Número da peça futura	FT-TPC8211(TE12L,Q,M)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TPC8211(TE12L,Q,M) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1250pF @ 10V
Potência - Max	450mW
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SOP (5.5x6.0)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8211(TE12L,Q,M) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPC8211(TE12L,Q,M)-FT

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