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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H(TE12LQM)

Número da peça MFG
TPC8018-H(TE12LQM)
Quantidade disponível
90760 Peças
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
- MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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TPC8018-H(TE12LQM) Especificações

Número da peça de fabricante TPC8018-H(TE12LQM)
Número da peça futura FT-TPC8018-H(TE12LQM)
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
TPC8018-H(TE12LQM) Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2265pF @ 10V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8018-H(TE12LQM) Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TPC8018-H(TE12LQM)-FT

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