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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H(TE85L,FM

Número da peça MFG
TPC6010-H(TE85L,FM
Quantidade disponível
33760 Peças
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USD 0
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
U-MOSVI-H MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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TPC6010-H(TE85L,FM Especificações

Número da peça de fabricante TPC6010-H(TE85L,FM
Número da peça futura FT-TPC6010-H(TE85L,FM
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series U-MOSVI-H
TPC6010-H(TE85L,FM Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 6.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 10V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 700mW (Ta)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor VS-6 (2.9x2.8)
Pacote / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6010-H(TE85L,FM Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TPC6010-H(TE85L,FM-FT

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