casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / TN2010H-6T
Número da peça de fabricante | TN2010H-6T |
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Número da peça futura | FT-TN2010H-6T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TN2010H-6T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.3V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 10mA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 20A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 40mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TN2010H-6T-FT |
VS-ST1000C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FGG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17C6
Intel
EP4SGX180KF40C3
Intel
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6N
Intel
EP20K1000CF33C7ES
Intel