casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / TN2010H-6G-TR
Número da peça de fabricante | TN2010H-6G-TR |
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Número da peça futura | FT-TN2010H-6G-TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TN2010H-6G-TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.3V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 10mA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 20A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 40mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6G-TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TN2010H-6G-TR-FT |
VS-16TTS12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
Intel
EP1K100FI256-2
Intel
5SGXMBBR3H43C3N
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
Intel
EP2SGX60CF780C3
Intel