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Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ

Name: TK65G10N1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65G10N1,RQ
Price: 1.04052 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (110 reviews)

Número da peça MFG: TK65G10N1,RQ

Quantidade disponível: 87630 Peças

Preço de referência: USD 1.04052

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK65G10N1,RQ.pdf

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TK65G10N1,RQ Especificações

Número da peça de fabricante	TK65G10N1,RQ
Número da peça futura	FT-TK65G10N1,RQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVIII-H
TK65G10N1,RQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	65A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	156W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK65G10N1,RQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK65G10N1,RQ-FT

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