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Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3,S1X(S

Name: TK25E06K3,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK25E06K3,S1X(S
Price: 0.74368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (723 reviews)

Número da peça MFG: TK25E06K3,S1X(S

Quantidade disponível: 76430 Peças

Preço de referência: USD 0.74368

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK25E06K3,S1X(S.pdf

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TK25E06K3,S1X(S Especificações

Número da peça de fabricante	TK25E06K3,S1X(S
Número da peça futura	FT-TK25E06K3,S1X(S
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIV
TK25E06K3,S1X(S Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (máx.)	-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	60W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220-3
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK25E06K3,S1X(S Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK25E06K3,S1X(S-FT

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