casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK16J60W,S1VQ
Número da peça de fabricante | TK16J60W,S1VQ |
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Número da peça futura | FT-TK16J60W,S1VQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DTMOSIV |
TK16J60W,S1VQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 15.8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 300V |
Recurso FET | Super Junction |
Dissipação de energia (máx.) | 130W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P(N) |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK16J60W,S1VQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK16J60W,S1VQ-FT |
FQA55N25
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