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Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ

Name: TK160F10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK160F10N1L,LQ
Price: 1.07416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (701 reviews)

Número da peça MFG: TK160F10N1L,LQ

Quantidade disponível: 82480 Peças

Preço de referência: USD 1.07416

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVIII-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK160F10N1L,LQ.pdf

TK160F10N1L,LQ Especificações

Número da peça de fabricante	TK160F10N1L,LQ
Número da peça futura	FT-TK160F10N1L,LQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVIII-H
TK160F10N1L,LQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	160A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220SM(W)
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK160F10N1L,LQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK160F10N1L,LQ-FT

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