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Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1,S1X

Número da peça MFG
TK100E06N1,S1X
Quantidade disponível
88960 Peças
Preço de referência
USD 2
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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TK100E06N1,S1X Especificações

Número da peça de fabricante TK100E06N1,S1X
Número da peça futura FT-TK100E06N1,S1X
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series U-MOSVIII-H
TK100E06N1,S1X Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 30V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 255W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK100E06N1,S1X Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TK100E06N1,S1X-FT

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