casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / TIS97_J35Z
Número da peça de fabricante | TIS97_J35Z |
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Número da peça futura | FT-TIS97_J35Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TIS97_J35Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100µA, 5V |
Potência - Max | 625mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TIS97_J35Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TIS97_J35Z-FT |
PN200_D27Z
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Xilinx Inc.
XC7VX980T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EP20K1500EBC652-3
Intel