casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TC58BYG2S0HBAI6
Número da peça de fabricante | TC58BYG2S0HBAI6 |
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Número da peça futura | FT-TC58BYG2S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Benand™ |
TC58BYG2S0HBAI6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 67-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG2S0HBAI6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TC58BYG2S0HBAI6-FT |
W25Q32FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
W97AH2KBVX2I
Winbond Electronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel