casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / TA810PW510RJ
Número da peça de fabricante | TA810PW510RJ |
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Número da peça futura | FT-TA810PW510RJ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Power Chip® TA |
TA810PW510RJ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 510 Ohms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 10W |
Composição | Thick Film |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 180°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Powerchip® |
Tamanho / dimensão | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Número de Terminações | 4 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW510RJ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TA810PW510RJ-FT |
TAH20P3R90JE
Ohmite
TAH20P100RJ
Ohmite
TAH20P10K0J
Ohmite
TAH20P10R0J
Ohmite
TAH20P150RJ
Ohmite
TAH20P15R0J
Ohmite
TAH20P1K00J
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TAH20P1R00J
Ohmite
TAH20P220RJ
Ohmite
TAH20P22R0J
Ohmite
XC2S100-5TQG144C
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XC6SLX75-L1CSG484C
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XC3S1000-4FTG256I
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XC2S150-6FGG456C
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XC6SLX75-3FGG484C
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M2GL010T-1FGG484I
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Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C6N
Intel