casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUP60N06-12P-E3
Número da peça de fabricante | SUP60N06-12P-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUP60N06-12P-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUP60N06-12P-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.25W (Ta), 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP60N06-12P-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUP60N06-12P-E3-FT |
IRF610
Vishay Siliconix
IRF614
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
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