casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUP60N02-4M5P-E3
Número da peça de fabricante | SUP60N02-4M5P-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUP60N02-4M5P-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUP60N02-4M5P-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5950pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP60N02-4M5P-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUP60N02-4M5P-E3-FT |
IRF510
Vishay Siliconix
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A3P015-1QNG68
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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