casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUP50N03-5M1P-GE3
Número da peça de fabricante | SUP50N03-5M1P-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SUP50N03-5M1P-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUP50N03-5M1P-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP50N03-5M1P-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUP50N03-5M1P-GE3-FT |
IRFBF30
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel