casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM60N10-17-E3
Número da peça de fabricante | SUM60N10-17-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUM60N10-17-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUM60N10-17-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM60N10-17-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUM60N10-17-E3-FT |
SIR880DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR882DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR888DP-T1-GE3
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SIR890DP-T1-GE3
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SIR892DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA34DP-T1-GE3
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SIRA50ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA50DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA52ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA58DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel