casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM110P06-08L-E3
Número da peça de fabricante | SUM110P06-08L-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUM110P06-08L-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUM110P06-08L-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 272W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110P06-08L-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUM110P06-08L-E3-FT |
SI7860DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7860DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7882DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7882DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7886ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7886ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7888DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7888DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel