casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM110N06-3M9H-E3
Número da peça de fabricante | SUM110N06-3M9H-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUM110N06-3M9H-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUM110N06-3M9H-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110N06-3M9H-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUM110N06-3M9H-E3-FT |
SIR814DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR818DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR826ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR826DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR836DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR838DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR840DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR846ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR846DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR850DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation