casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM110N04-2M3L-E3
Número da peça de fabricante | SUM110N04-2M3L-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUM110N04-2M3L-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUM110N04-2M3L-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110N04-2M3L-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUM110N04-2M3L-E3-FT |
SIR804DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR808DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR812DP-T1-GE3
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SIR814DP-T1-GE3
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SIR818DP-T1-GE3
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SIR826ADP-T1-GE3
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SIR826DP-T1-GE3
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SIR836DP-T1-GE3
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SIR838DP-T1-GE3
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SIR840DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation