casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD50N03-06AP-E3
Número da peça de fabricante | SUD50N03-06AP-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUD50N03-06AP-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUD50N03-06AP-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 10W (Ta), 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N03-06AP-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUD50N03-06AP-E3-FT |
SQJ416EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ418EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ420EP-T1_GE3
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SQJ443EP-T1_GE3
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SQJ444EP-T1_GE3
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SQJ456EP-T1_GE3
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SQJ461EP-T1_GE3
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SQJ464EP-T1_GE3
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SQJ465EP-T1_GE3
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SQJ469EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel