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Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3

Name: SUD35N10-26P-T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD35N10-26P-T4GE3
Price: 0.890136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (172 reviews)

Número da peça MFG: SUD35N10-26P-T4GE3

Quantidade disponível: 16550 Peças

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SUD35N10-26P-T4GE3.pdf

SUD35N10-26P-T4GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SUD35N10-26P-T4GE3
Número da peça futura	FT-SUD35N10-26P-T4GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SUD35N10-26P-T4GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUD35N10-26P-T4GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SUD35N10-26P-T4GE3-FT

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