casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STY60NM50
Número da peça de fabricante | STY60NM50 |
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Número da peça futura | FT-STY60NM50 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ |
STY60NM50 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 266nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 560W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MAX247™ |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STY60NM50 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STY60NM50-FT |
STI21N65M5
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XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
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M2GL025T-VFG400
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EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel