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STMicroelectronics STW58N65DM2AG

Name: STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW58N65DM2AG
Price: 9.464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (231 reviews)

Número da peça MFG: STW58N65DM2AG

Quantidade disponível: 40990 Peças

Preço de referência: USD 9.464

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 650V 48A

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STW58N65DM2AG.pdf

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STW58N65DM2AG Especificações

Número da peça de fabricante	STW58N65DM2AG
Número da peça futura	FT-STW58N65DM2AG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STW58N65DM2AG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	48A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	360W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW58N65DM2AG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STW58N65DM2AG-FT

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