casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STW30NM50N
Número da peça de fabricante | STW30NM50N |
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Número da peça futura | FT-STW30NM50N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ II |
STW30NM50N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2740pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 190W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW30NM50N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STW30NM50N-FT |
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EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel