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STMicroelectronics STV200N55F3

Name: STV200N55F3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STV200N55F3
Price: 3.66528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (350 reviews)

Número da peça MFG: STV200N55F3

Quantidade disponível: 88070 Peças

Preço de referência: USD 3.66528

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: STripFET™ MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STV200N55F3.pdf

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STV200N55F3 Especificações

Número da peça de fabricante	STV200N55F3
Número da peça futura	FT-STV200N55F3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	STripFET™
STV200N55F3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	10-PowerSO
Pacote / caso	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STV200N55F3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STV200N55F3-FT

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