casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / STTH8003CY
Número da peça de fabricante | STTH8003CY |
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Número da peça futura | FT-STTH8003CY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Q Automotive |
STTH8003CY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 40A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 40A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 60ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 80µA @ 300V |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MAX247™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH8003CY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STTH8003CY-FT |
HN1D01FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S03FE(TE85L,F)
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HN2D01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S02JE(TE85L,F)
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1SS226,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAW56,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAV70,LM
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1SS361,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS362TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS423(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel