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STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP

Name: STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STQ1HNK60R-AP
Price: 0.195568 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (37 reviews)

Número da peça MFG: STQ1HNK60R-AP

Quantidade disponível: 94960 Peças

Preço de referência: USD 0.195568

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: SuperMESH™ MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STQ1HNK60R-AP.pdf

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STQ1HNK60R-AP Especificações

Número da peça de fabricante	STQ1HNK60R-AP
Número da peça futura	FT-STQ1HNK60R-AP
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SuperMESH™
STQ1HNK60R-AP Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	400mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-92-3
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STQ1HNK60R-AP Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STQ1HNK60R-AP-FT

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