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STMicroelectronics STP80N6F6

Name: STP80N6F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP80N6F6
Price: 1.52 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (752 reviews)

Número da peça MFG: STP80N6F6

Quantidade disponível: 44350 Peças

Preço de referência: USD 1.52

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 60V TO-220

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STP80N6F6.pdf

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STP80N6F6 Especificações

Número da peça de fabricante	STP80N6F6
Número da peça futura	FT-STP80N6F6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STP80N6F6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7480pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	120W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP80N6F6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STP80N6F6-FT

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