casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STP4NK50ZD
Número da peça de fabricante | STP4NK50ZD |
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Número da peça futura | FT-STP4NK50ZD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SuperMESH™ |
STP4NK50ZD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP4NK50ZD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STP4NK50ZD-FT |
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
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