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STMicroelectronics STL4N10F7

Name: STL4N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL4N10F7
Price: 0.770504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (742 reviews)

Número da peça MFG: STL4N10F7

Quantidade disponível: 32750 Peças

Preço de referência: USD 0.770504

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STL4N10F7.pdf

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STL4N10F7 Especificações

Número da peça de fabricante	STL4N10F7
Número da peça futura	FT-STL4N10F7
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	DeepGATE™, STripFET™ VII
STL4N10F7 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta), 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	408pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.9W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL4N10F7 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STL4N10F7-FT

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