casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STI20N60M2-EP
Número da peça de fabricante | STI20N60M2-EP |
---|---|
Número da peça futura | FT-STI20N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ M2-EP |
STI20N60M2-EP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 278 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 787pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 110W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI20N60M2-EP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STI20N60M2-EP-FT |
AUIRF8736M2TR
Infineon Technologies
DMN3009LFVW-7
Diodes Incorporated
HUF75639P3-F102
ON Semiconductor
DMN90H8D5HCTI
Diodes Incorporated
FDMC510P-F106
ON Semiconductor
NTMFS4C020NT1G
ON Semiconductor
NVATS5A113PLZT4G
ON Semiconductor
SI3453DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJ433EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SSM3J143TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel