casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STI12NM50N
Número da peça de fabricante | STI12NM50N |
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Número da peça futura | FT-STI12NM50N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ II |
STI12NM50N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI12NM50N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STI12NM50N-FT |
TPS1100DR
Texas Instruments
TPS1101DR
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XCS40-4BG256C
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XC6SLX16-3CSG324C
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APA750-FGG676I
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LFXP2-8E-6FTN256I
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LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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