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STMicroelectronics STH315N10F7-6

Número da peça MFG
STH315N10F7-6
Quantidade disponível
59530 Peças
Preço de referência
USD 2.848272
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fabricante
STMicroelectronics
Descrição breve
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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STH315N10F7-6 Especificações

Número da peça de fabricante STH315N10F7-6
Número da peça futura FT-STH315N10F7-6
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
STH315N10F7-6 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12800pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 315W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor H2PAK-6
Pacote / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH315N10F7-6 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição STH315N10F7-6-FT

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