casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STH210N75F6-2
Número da peça de fabricante | STH210N75F6-2 |
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Número da peça futura | FT-STH210N75F6-2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STH210N75F6-2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 171nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | H2Pak-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH210N75F6-2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STH210N75F6-2-FT |
TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM230N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM020N04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120N06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160N10LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM170N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel