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STMicroelectronics STH185N10F3-6

Name: STH185N10F3-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH185N10F3-6
Price: 2.475976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (680 reviews)

Número da peça MFG: STH185N10F3-6

Quantidade disponível: 19590 Peças

Preço de referência: USD 2.475976

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fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STH185N10F3-6.pdf

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STH185N10F3-6 Especificações

Número da peça de fabricante	STH185N10F3-6
Número da peça futura	FT-STH185N10F3-6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
STH185N10F3-6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	114.6nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6665pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	315W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	H2PAK-6
Pacote / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH185N10F3-6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STH185N10F3-6-FT

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