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STMicroelectronics STH160N4LF6-2

Name: STH160N4LF6-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH160N4LF6-2
Availability: InStock
Rating: 4.6 (796 reviews)

Número da peça MFG: STH160N4LF6-2

Quantidade disponível: 28160 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STH160N4LF6-2.pdf

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STH160N4LF6-2 Especificações

Número da peça de fabricante	STH160N4LF6-2
Número da peça futura	FT-STH160N4LF6-2
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	DeepGATE™, STripFET™ VI
STH160N4LF6-2 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	181nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8130pF @ 20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	H2Pak-2
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH160N4LF6-2 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STH160N4LF6-2-FT

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