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STMicroelectronics STH110N10F7-6

Name: STH110N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH110N10F7-6
Availability: InStock
Rating: 4.9 (692 reviews)

Número da peça MFG: STH110N10F7-6

Quantidade disponível: 70190 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STH110N10F7-6.pdf

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STH110N10F7-6 Especificações

Número da peça de fabricante	STH110N10F7-6
Número da peça futura	FT-STH110N10F7-6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	DeepGATE™, STripFET™ VII
STH110N10F7-6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5117pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	H2PAK-6
Pacote / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH110N10F7-6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STH110N10F7-6-FT

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