casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGW60H65DF
Número da peça de fabricante | STGW60H65DF |
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Número da peça futura | FT-STGW60H65DF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
STGW60H65DF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 120A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 240A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 60A |
Potência - Max | 360W |
Energia de comutação | 1.5mJ (on), 1.1mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 206nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 67ns/165ns |
Condição de teste | 400V, 60A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 62ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW60H65DF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGW60H65DF-FT |
IRGS4B60KD1PBF
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M1A3PE1500-PQG208
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LFE5U-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C5N
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5SGXMA5K2F35I3LN
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5SGXMA4H2F35I2LN
Intel
M1AGL1000V5-CS281I
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A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation