casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGW40V60DF
Número da peça de fabricante | STGW40V60DF |
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Número da peça futura | FT-STGW40V60DF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
STGW40V60DF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 160A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Potência - Max | 283W |
Energia de comutação | 456µJ (on), 411µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 226nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 52ns/208ns |
Condição de teste | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 41ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW40V60DF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGW40V60DF-FT |
GT10G131(TE12L,Q)
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5SGSMD8N3F45I3N
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation