casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGF30M65DF2
Número da peça de fabricante | STGF30M65DF2 |
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Número da peça futura | FT-STGF30M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
STGF30M65DF2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 120A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 38W |
Energia de comutação | 300µJ (on), 960µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 80nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 31.6ns/115ns |
Condição de teste | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 140ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220FP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGF30M65DF2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGF30M65DF2-FT |
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Infineon Technologies
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XC2VP7-6FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4FG484I
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5CEBA2U19C7N
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5CGXFC4C7F23C8N
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EP4SGX110HF35C2
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