casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGB20NB37LZ
Número da peça de fabricante | STGB20NB37LZ |
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Número da peça futura | FT-STGB20NB37LZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerMESH™ |
STGB20NB37LZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 425V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 40A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 80A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 4.5V, 20A |
Potência - Max | 200W |
Energia de comutação | 11.8mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 51nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 2.3µs/2µs |
Condição de teste | 250V, 20A, 1 kOhm, 4.5V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB20NB37LZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGB20NB37LZ-FT |
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XC2VP7-6FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C7N
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5CGXFC4C7F23C8N
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10AX115S4F45I3SGES
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