casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / STG3P2M10N60B
Número da peça de fabricante | STG3P2M10N60B |
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Número da peça futura | FT-STG3P2M10N60B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SEMITOP® |
STG3P2M10N60B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 19A |
Potência - Max | 56W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 7A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 0.72nF @ 25V |
Entrada | Single Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SEMITOP®2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SEMITOP®2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STG3P2M10N60B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STG3P2M10N60B-FT |
GA400TD25S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT175DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ100
Microsemi Corporation
EP3SL50F780I3
Intel