casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STFW4N150
Número da peça de fabricante | STFW4N150 |
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Número da peça futura | FT-STFW4N150 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerMESH™ |
STFW4N150 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOWATT-218FX |
Pacote / caso | ISOWATT218FX |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFW4N150 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STFW4N150-FT |
CSD18510Q5B
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
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EP20K60EQC208-1
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