casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STF9HN65M2
Número da peça de fabricante | STF9HN65M2 |
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Número da peça futura | FT-STF9HN65M2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ M2 |
STF9HN65M2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 20W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF9HN65M2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STF9HN65M2-FT |
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AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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