casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STF19NM65N
Número da peça de fabricante | STF19NM65N |
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Número da peça futura | FT-STF19NM65N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MDmesh™ II |
STF19NM65N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 15.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 7.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF19NM65N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STF19NM65N-FT |
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Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
Intel
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Intel