casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STD1HNC60T4
Número da peça de fabricante | STD1HNC60T4 |
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Número da peça futura | FT-STD1HNC60T4 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerMESH™ II |
STD1HNC60T4 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 228pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD1HNC60T4 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STD1HNC60T4-FT |
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A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
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LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.