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STMicroelectronics STD150N3LLH6

Name: STD150N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD150N3LLH6
Price: 0.915224 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (226 reviews)

Número da peça MFG: STD150N3LLH6

Quantidade disponível: 54450 Peças

Preço de referência: USD 0.915224

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STD150N3LLH6.pdf

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STD150N3LLH6 Especificações

Número da peça de fabricante	STD150N3LLH6
Número da peça futura	FT-STD150N3LLH6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	DeepGATE™, STripFET™ VI
STD150N3LLH6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	110W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD150N3LLH6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STD150N3LLH6-FT

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