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STMicroelectronics STD120N4LF6

Name: STD120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD120N4LF6
Price: 1.1286 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (337 reviews)

Número da peça MFG: STD120N4LF6

Quantidade disponível: 66650 Peças

Preço de referência: USD 1.1286

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fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STD120N4LF6.pdf

STD120N4LF6 Especificações

Número da peça de fabricante	STD120N4LF6
Número da peça futura	FT-STD120N4LF6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STD120N4LF6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	110W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD120N4LF6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STD120N4LF6-FT

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